En la Universidad de Rice en Estados Unidos, investigadores han hecho un potencial descubrimiento sobre el uso del dioxido de silicio, en la aplicacion de dispositivos de memoria para aumentar su capacidad de almacenamiento.
Por medio de una carga con electrodos de 5 nanometros. Aplicada a piezas diminutas de dioxido de silicio, este carga ayuda a romper y reconectar sus cristales de manera continua por lo que es posible utilizar estas fracturas para almacenaminto de datos en tres dimensiones y asi aumentar notablemente su capacidad.
El equipo encargado de dicha investigación ya colabora con una empresa de tecnologías, para elaborar los chips de la nueva generación.
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