Un nuevo informe sobre la innovación de Intel afirma que los ingenieros de esta gran empresa han descubierto alguna forma para utilizar los sustratos de silicios para poder reducir el calor y la tensión de salida de los próximos procesadores.
Intel dio algunos detalles sobre P-canal del transistor construido por sustratos de silicio, haciendo uso de semiconductores compuestos, este material también es conocido como III-V ya que están fabricadas por materiales que contienen silicio y este se encuentra en la columna IV.
Intel dio algunos detalles sobre P-canal del transistor construido por sustratos de silicio, haciendo uso de semiconductores compuestos, este material también es conocido como III-V ya que están fabricadas por materiales que contienen silicio y este se encuentra en la columna IV.
Esta investigación dio el más alto de los rendimientos que el p-canal ha dado hasta la fecha. Un año antes Intel describió los transistores de III a V N-Canal también basado en sustratos de silicio. Al combinar estos dos resultados pudieron formar los cimientos de los circuitos CMOS, que utilizan en los transistores tanto P cono N-canal.
Según las noticias los procesadores de Intel en un futuro muy próximo estarán mucho más refrigerados, alrededor de ½ en tensión.
Según las noticias los procesadores de Intel en un futuro muy próximo estarán mucho más refrigerados, alrededor de ½ en tensión.
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